控制晶粒大小主要可以通过调节以下几个因素来实现：
1. 晶体生长速率：晶体生长速率的快慢会直接影响晶粒的大小。较快的生长速率通常会导致较大的晶粒，而较慢的生长速率通常会产生较小的晶粒。可以通过控制加热速率、冷却速率和溶液中溶质浓度的变化来调节晶体的生长速率。
2. 晶体核化速率：晶体核化是指溶液中发生晶体形成的过程。通过控制溶液中的有机或无机试剂浓度、温度和溶液搅拌速率等因素，可以调节晶核形成的速率。较高的核化速率通常会产生较多的小晶粒，而较低的核化速率通常会产生较少但较大的晶粒。
3. 晶体生长条件：晶体生长的环境条件也会影响晶粒的大小。例如，溶液的pH值、温度、浓度和溶剂的选择等因素都会对晶体生长过程产生影响。调节这些条件可以影响晶体的形态和晶粒的大小。
4. 添加晶核抑制剂：添加一些特定的化学试剂或添加剂，如表面活性剂、聚合物或有机分子等，可以起到抑制晶体生长的作用，从而控制晶粒的大小。这些添加剂可以与晶体生长过程中的分子相互作用，影响晶体的生长速率和晶粒的尺寸。
5. 机械刺激：通过物理处理或机械刺激，如研磨、剪切、超声波处理等，可以促使晶体聚集或碎裂，从而调节晶粒的大小。
在实际应用中，通常会综合使用上述控制因素来实现对晶粒大小的调控，选取适当的方法使得晶粒具备所需的尺寸和性能。